Samsung запустил выпуск чипов V-NAND 5-го поколения

Комплектующие для PC 0 493 Жалоба

Успехи Samsung в производстве памяти продолжаются в темпе, так как сегодня они объявляют о начале массового производства V-NAND- вспышки 5-го поколения. Эта память выполнена с использованием набора микросхем памяти, а точнее 96 слоев флэш-памяти с зарядовой ловушкой (CTF). Предыдущее поколение V-NAND от Samsung использовало «всего» 64 слоя. Новые чипы обеспечивают как повышение плотности, так и повышение производительности.

В своем пресс-релизе о 5-м поколении V-NAND Samsung начинается с раскрытия потенциала производительности новой флеш-памяти. В нем говорится, что чипы, первый из которых использует интерфейс Toggle DDR 4.0, могут передавать данные из хранилища в память со скоростью 1,4 Гбит / с, что на 40% больше по сравнению с их предшественниками на 64 слоя. Кроме того, новая V-NAND «имеет самую быструю скорость записи данных на сегодняшний день на 500 микросекундах, что представляет собой примерно 30-процентное улучшение по сравнению с скоростью записи предыдущего поколения». И последнее, но не менее важное: время ответа на сигналы чтения значительно сократилось до 50 микросекунд.

Другими хорошими новостями о V-NAND V-NAND от Samsung является то, что, повышая производительность, ее энергоэффективность «по-прежнему сопоставима с энергопотреблением 64-слойного чипа». Это связано с тем, что Samsung может снизить рабочее напряжение от 1,8 вольта до 1,2 вольта.

В заявлении наряду с этим заявлением V-NAND от V-NAND, Samsung Electronics EVP of Flash Product and Technology, Kye Hyun Kyung, сказал: «В дополнение к передовым достижениям, которые мы объявляем сегодня, мы готовимся к внедрению 1-терабит (Tb ) и четырехъядерных ячеек (QLC) для нашей линейки V-NAND, которая будет продолжать набирать обороты для решений NAND для следующего поколения на мировом рынке».

Вернемся к новому V-NAND V-NAND, и Samsung говорит, что он быстро наращивает производство, когда первые 96-слойные части имеют 256 Gb TLC-матрицы. Он ожидает, что чипы будут использоваться в таких разнообразных секторах, как суперкомпьютеры, корпоративные серверы и смартфоны премиум-класса в ближайшие месяцы.

Вернуться

Похожие новости


Память от Samsung Flashbolt 3-го поколения HBM2E

Память от Samsung Flashbolt 3-го поколения HBM2E

04-фев-2020, 23:08

Samsung впервые анонсировала Flashbolt 3-го поколения HBM2E на технологической конференции Nvidia

Обзор: Force Series MP510 M.2, 960 ГБ

Обзор: Force Series MP510 M.2, 960 ГБ

04-дек-2018, 21:01

В последнее время Corsair тесно сотрудничает с производителем контроллеров SSD Phison. Более старый

Samsung выпускает 860 QVO SSD накопитель до 4 Тб

Samsung выпускает 860 QVO SSD накопитель до 4 Тб

28-ноя-2018, 14:51

Samsung выпускает новый диапазон 2,5-дюймовых SSD-интерфейсов SATA с форм-фактором. Новый Samsung

Твердотельные накопители Samsung 4TB QLC

Твердотельные накопители Samsung 4TB QLC

07-авг-2018, 15:37

Samsung объявила, что она начала массовое производство первых 4-разрядных (QLC, четырехъядерных)

Комментарии (0)

Добавить комментарий

1. Добавленные комментарии проходят проверку.
2. Если Вы задаете вопрос, то постарайтесь описать проблему подробнее с указанием всех деталей. Напишите как можно точнее о проблеме.
3. Комментарии с оскорблениями и ненормативной лексикой, а так же комментарии, не имеющие смысла, будут удалены.
4. Не пытайтесь разместить рекламу, своих или сторонних сайтов, различные ссылки из социальных групп и сетей, спам и так далее. Для этого есть раздел «Реклама».
5. Давайте учится писать грамотно. Пишем текст не только большими буквами.
6. Если Вы отвечаете кому-то на комментарий, пожалуйста, жмите кнопочку «Ответить».
7. Помог материал решить Вашу проблему, поддержите проект поделитесь им в социальных сетях или просто скажите спасибо. С уважением к Вам!