Samsung запустил выпуск чипов V-NAND 5-го поколения

Успехи Samsung в производстве памяти продолжаются в темпе, так как сегодня они объявляют о начале массового производства V-NAND- вспышки 5-го поколения. Эта память выполнена с использованием набора микросхем памяти, а точнее 96 слоев флэш-памяти с зарядовой ловушкой (CTF). Предыдущее поколение V-NAND от Samsung использовало «всего» 64 слоя. Новые чипы обеспечивают как повышение плотности, так и повышение производительности.

Samsung запустил выпуск чипов V-NAND 5-го поколения

В своем пресс-релизе о 5-м поколении V-NAND Samsung начинается с раскрытия потенциала производительности новой флеш-памяти. В нем говорится, что чипы, первый из которых использует интерфейс Toggle DDR 4.0, могут передавать данные из хранилища в память со скоростью 1,4 Гбит / с, что на 40% больше по сравнению с их предшественниками на 64 слоя. Кроме того, новая V-NAND «имеет самую быструю скорость записи данных на сегодняшний день на 500 микросекундах, что представляет собой примерно 30-процентное улучшение по сравнению с скоростью записи предыдущего поколения». И последнее, но не менее важное: время ответа на сигналы чтения значительно сократилось до 50 микросекунд.

Другими хорошими новостями о V-NAND V-NAND от Samsung является то, что, повышая производительность, ее энергоэффективность «по-прежнему сопоставима с энергопотреблением 64-слойного чипа». Это связано с тем, что Samsung может снизить рабочее напряжение от 1,8 вольта до 1,2 вольта.

В заявлении наряду с этим заявлением V-NAND от V-NAND, Samsung Electronics EVP of Flash Product and Technology, Kye Hyun Kyung, сказал: «В дополнение к передовым достижениям, которые мы объявляем сегодня, мы готовимся к внедрению 1-терабит (Tb ) и четырехъядерных ячеек (QLC) для нашей линейки V-NAND, которая будет продолжать набирать обороты для решений NAND для следующего поколения на мировом рынке».

Samsung запустил выпуск чипов V-NAND 5-го поколения

Вернемся к новому V-NAND V-NAND, и Samsung говорит, что он быстро наращивает производство, когда первые 96-слойные части имеют 256 Gb TLC-матрицы. Он ожидает, что чипы будут использоваться в таких разнообразных секторах, как суперкомпьютеры, корпоративные серверы и смартфоны премиум-класса в ближайшие месяцы.

Вернуться

Похожие новости


Твердотельные накопители Samsung 4TB QLC

Твердотельные накопители Samsung 4TB QLC

07-авг-2018, 15:37

Samsung объявила, что она начала массовое производство первых 4-разрядных (QLC, четырехъядерных)

Обзор: быстрого Intel Optane SSD накопителя 905P Series

Обзор: быстрого Intel Optane SSD накопителя 905P Series

22-июн-2018, 14:32

Как вы смотрите на создании лучшего, наиболее отзывчивого твердотельного диска на рынке сегодня?

Комментарии (0)

Добавить комментарий